뉴스 제목: 미쓰비시 전기, 5G-Advanced 기지국용 7GHz GaN 증폭기 모듈 개발
미쓰비시 전기(Mitsubishi Electric)는 2025년 6월, 5G-Advanced 기지국용 7GHz 대역 GaN(질화 갈륨) 증폭기 모듈을 개발하고, 통신 신호를 이용한 성능 검증에도 성공했다고 발표했다. 5G의 발전 버전인 5G-Advanced는 "고속 대용량", "저지연", "다수 동시 접속"을 특징으로 하며, 2025년부터 단계적으로 도입이 시작될 예정이다.
5G-Advanced는 기존의 4G/5G에서 사용되는 주파수 대역에 비해 높은 주파수 대역(6.425G~7.125GHz)을 사용한다. 이로 인해 각 안테나의 배치 간격이 좁아지며, 각 안테나와 쌍을 이루어 구현되는 증폭기 모듈의 배치 간격도 좁아진다.
이번 개발에서는 GaN 트랜지스터의 기생 성분을 정합 회로의 일부로 활용하는 독자적인 기술과 높은 성능을 갖춘 GaN 트랜지스터를 채택하여 전력 효율이 41%로 매우 높은 7GHz 대역 GaN 증폭기 모듈을 개발했다. 시제품의 외형 치수는 12.0×8.0mm로 작고, 고밀도 구현이 가능하다.
개발된 GaN 증폭기 모듈의 주요 사양은 주파수 6.8~7.1GHz, 전력 효율 41%/전력 부가 효율 35%, 출력 전력 37dBm, 전력 이득 25dB, ACLR(인접 채널 누설 전력비)은 -50dBc이다.
